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資訊
特點
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利用製程數據經驗和專有技術設計而成的新世代設備。
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使用holder傳送substrate，可對應8吋wafer或者小切割裂片。
- Cassette室中最大可安裝5片holder 機構來提高生產率。
- 濺鍍共有4組陰極配置/支援同時濺鍍(option)、T/S距離可變機構。
- 具備逆Sputter功能 可對 substrate表面清潔(RF CCP)。
- 觸控螢幕，省力操作 。可以記錄數。
用途
- 電極成膜/多層電極及同時成膜應用
- 介電膜形成，絕緣膜，鈍化，保護膜等
- 用於電子零件的研發和小規模生產
規格
配件
下載
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* 此為公式計算理論值，僅供參考。
巴 (bar)
千帕(kPa)
百帕(hPa)
毫巴(mbar)
帕斯卡(Pa = N/m2)
標准大氣壓(atm)
毫米汞柱(托)(mm Hg = Torr)
磅力/英尺2(lbf/ft2)
磅力/英寸2(lbf/in2 = PSI)
英吋汞柱(in Hg)
公斤力/厘米2(kgf/cm2)
公斤力/米2(kgf/m2)
毫米水柱(mmH2O)