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資訊
特點
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可實現自動連續高溫處理的離子植入。
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1價離子可注入至350keV，2價離子可注入至700keV。
(Option: 1價離子可注入至430keV，2價離子可注入至860keV) -
透過Dual-End-Station實現高生產效能。
(A系4”高溫ESC / B系3”高溫ESC、A系6”高溫ESC / B系6”常溫ESC等，可配合客戶生產所需進行設備規格的配置 ) -
可進行Chain注入(チェーン注入)，減輕操作人員的負擔。
- 緊湊式(Compact)設計。
- 可大範圍對應從試作到量產的各類型需求。
用途
- 對應SiC的離子植入裝置
規格
配件
下載
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* 此為公式計算理論值，僅供參考。
巴 (bar)
千帕(kPa)
百帕(hPa)
毫巴(mbar)
帕斯卡(Pa = N/m2)
標准大氣壓(atm)
毫米汞柱(托)(mm Hg = Torr)
磅力/英尺2(lbf/ft2)
磅力/英寸2(lbf/in2 = PSI)
英吋汞柱(in Hg)
公斤力/厘米2(kgf/cm2)
公斤力/米2(kgf/m2)
毫米水柱(mmH2O)