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資訊
特點
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在嚴峻的次世代封裝製程中需要1 x 1016atoms/cm2以上的ion implant剝離製程、光阻除去製程等均可實現damage free。
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添加氟系氣體製程可構築最佳化的Chamber構造，可對應particle free。同時，從normal PR到ion implant剝離、有機膜剝離(PI、DFR等)、氧化膜蝕刻等相關製程均可對應。
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採用simple的裝置構成，可同時實現「卓越的Maintenance性、信賴性」與「Low Cost」。
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多樣性的Chamber構成（Microwave、RIE、Microwave＋RIE），有多種搬送路徑可供選擇。
- Wafer size可經由參數設定進行切換，使得wafer size變更變得更加容易。
用途
- Frontend process的ion implant剝離製程(1 x 1016atoms/cm2以上)與polymer去除。
- 需要添加CF4的製程(電子部品・LED)。
- Chip size package、BUMP工程。
- CCD color filter製造製程。
- RDL配線殘渣去除。
規格
配件
下載
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* 此為公式計算理論值，僅供參考。
巴 (bar)
千帕(kPa)
百帕(hPa)
毫巴(mbar)
帕斯卡(Pa = N/m2)
標准大氣壓(atm)
毫米汞柱(托)(mm Hg = Torr)
磅力/英尺2(lbf/ft2)
磅力/英寸2(lbf/in2 = PSI)
英吋汞柱(in Hg)
公斤力/厘米2(kgf/cm2)
公斤力/米2(kgf/m2)
毫米水柱(mmH2O)