Model: ENTRON-EXX

Load-lock式Sputtering装置

可對應Al、Cu、高熔點金屬配線等工程的Cluster Type Multi-chamber平台,擁有多項實績經驗。對於次世代製程中適合的SIS (Self-Ion-Sputter)-PVD、金屬CVD/ALD、乾式前處理Module等組合,可發揮最佳效益。

特點

  • 以本公司傳統設備ENTRON EX-W300系列為基準,針對提高生產效率進行了改良之機型。

  • 最多可搭載8種Process Module (PVD、ALD、CVD、etc.),再加2種(Degas、Cooling)功能。

  • 搭配本公司製造的新型搬送Robot,可實現wafer 傳送100WPH以上。
  • 提供適用於專門製程或微型晶圓廠的Single core、以及支持大型晶圓廠的Tandem core設備,靈活對應客戶的各式生產計劃。
  • 可安裝ED-PMS系統或非接觸式膜厚測定裝置MESEC-BIT,來監控管理設備的稼動及運行狀態。

用途

  • 最先進的半導體製造設備

攜手客戶 共創未來

優貝克“技術發展中心”(Tech Development Center)以獨創性設備和自主核心技術,以嶄新的商業模式為客戶開發新製程以及解決現有製程問題。

聯絡我們
* 此為公式計算理論值,僅供參考。
(bar)
千帕(kPa)
百帕(hPa)
毫巴(mbar)
帕斯卡(Pa = N/m2)
標准大氣壓(atm)
毫米汞柱(托)(mm Hg = Torr)
磅力/英尺2(lbf/ft2)
磅力/英寸2(lbf/in2 = PSI)
英吋汞柱(in Hg)
公斤力/厘米2(kgf/cm2)
公斤力/米2(kgf/m2)
毫米水柱(mmH2O)
* 此為公式計算理論值,僅供參考。
時間 (T)
=
min
公式 | t = V/S*2.303log(P1/P2)
* 容積 (V)
L
* 排氣速度 (S)
L/min
* 初期壓力 (P1)
Pa
* 最終壓力 (P2)
Pa
排氣速度 (S)
=
L/min
公式 | s = V/t*2.303log(P1/P2)
* 容積 (V)
L
* 時間 (T)
L/min
* 初期壓力 (P1)
Pa
* 最終壓力 (P2)
Pa