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資訊
特點
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最大可對應基板尺寸為直徑200mm。
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排除汙染，高精度溫度控制等的膜質管理。
- Al嵌入、厚膜、積層等靈活性製程之對應。
用途
- 半導體佈線為中心的金屬化作業
規格
| 型式 | MLX-3000N | |
| 裝置構成 | 搬送系統 | 六角形真空搬送Chamber×1 |
| Module | L/UL Chamber × 2（or L/ULChamber × 1＋Degas Chamber × 1）＋最多可裝4 Process Chambers | |
| 基板尺寸 | 可對應Φ75mm〜200mm | |
| 搬送Robot | Double Pick真空搬送Robot | |
| 控制系統 | PC控制 | |
| 用途 | Power Device(正面/背面)、UBM、安裝Device、不特定形狀基板 | |
| 排氣系統 | 主排氣 |
LL Chamber: Dry Pump 搬送Chamber: Turbo分子Pump Process Chamber: Cryo Pump |
| Rough Pumping |
Dry Pump |
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| 可搭載Process gas系統 |
最多可搭載3組系統 |
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| 到達壓力 |
搬送Chamber: 1.3E-4Pa Process Chamber: 1.0E-5Pa |
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| 電氣 |
50Hz/60Hz、3Φ、200V |
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| 冷卻水 |
0.2〜0.3MPa、温度20〜25ºC、100L/min |
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| 所需氣體 |
Process用氣體：0.05~0.1MPa N2氣體:0.05~0.1MPa |
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| 氣壓 |
0.55〜0.75MPa |
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| 接地工事 |
A種接地 |
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| Option(選用) |
Φ75mm〜200mm Wafer變更可能 |
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Shutter 機構 |
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靜電chuck式基板加熱機構 |
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RGA：Qulee |
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LL室Turbo分子Pump追加 |
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規格
配件
下載
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* 此為公式計算理論值，僅供參考。
巴 (bar)
千帕(kPa)
百帕(hPa)
毫巴(mbar)
帕斯卡(Pa = N/m2)
標准大氣壓(atm)
毫米汞柱(托)(mm Hg = Torr)
磅力/英尺2(lbf/ft2)
磅力/英寸2(lbf/in2 = PSI)
英吋汞柱(in Hg)
公斤力/厘米2(kgf/cm2)
公斤力/米2(kgf/m2)
毫米水柱(mmH2O)