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資訊
特點
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藉由磁場的輔助，與其他使用的ICP方式相比，可以產生更低的壓力、更低的電子溫度，更高密度的Plasma，從離子蝕刻到自由基蝕刻，對Plasma能有更全面的控制，作為該發用的設備也能對應更多的製程需求。
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RF投入窗口搭載防止沉積物附著的「Star電極」。另外，設備具有加熱的功能，重視再現性與安定性的裝置概念。
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作為研究開發的設備，具有信賴度高的傳送Robot，簡單的裝置構造且易於維護，實現優秀的可靠性。
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豐富的Option功能可做選配，也支援Cassette室追加的需求。
- 針對量產的生產線，由同樣Chamber組成的Multi-Chamber對應設備可參考NE-5700、NE-7800機型。
用途
- 化合物材料 (LED、LD、高頻率Device或Power Device)
- 電極加工、金屬配線、有機膜/陶瓷材料等的加工
- 處理難以蝕刻的材料，如：強介電質、貴金屬、磁性膜等
- Nano Implant、NEMS、MEMS、各種Sensor
- 生物芯片(Bio-chip)、微小流體裝置、光子晶體等
規格
| 項目 | 規格 |
| 系統構成 | 研究開發/ Prototype裝置 + Load Lock室 |
| 基板尺寸 | 〜150 mm |
| 操作壓力 | 0.07〜6.7 |
| Uniformity | ±3% max. |
| 基板溫度控制 | 靜電Chuck (ESC) |
規格
配件
下載
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* 此為公式計算理論值，僅供參考。
巴 (bar)
千帕(kPa)
百帕(hPa)
毫巴(mbar)
帕斯卡(Pa = N/m2)
標准大氣壓(atm)
毫米汞柱(托)(mm Hg = Torr)
磅力/英尺2(lbf/ft2)
磅力/英寸2(lbf/in2 = PSI)
英吋汞柱(in Hg)
公斤力/厘米2(kgf/cm2)
公斤力/米2(kgf/m2)
毫米水柱(mmH2O)