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資訊
特點
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ULVAC CMD針對LTPS製程進行開發，可對應良好膜質所需高溫製程。機台的驅動系統及真空傳輸機械手臂可在高溫下穩定運行，提供安定的搬送系統。
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CMD可以搭配加熱室，基板於真空成膜後可於連續在真空環境中進行加熱回火。
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掌握TEOS (SiO2)安定膜厚及良好均勻度的成膜技術，藉由最佳化反應室內氣流及溫度均一設計，可以提供生產長期穩定速率。
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通過加熱反應氣體通道等，抑制副生產物的附著，來縮短維護時間。
- 針對單獨基板進行個別管理成膜條件設定。
用途
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低溫P-Si, 非晶矽薄膜(α-Si )TFT
型號
| CMD-450BHT | CMD-650HT | CMD-950 | CMD-1500 | CMD-1800 | ||
| 基板尺寸（mm） | 400 × 500 × t0.7 | 600 × 720 × t0.7 | 730 × 920 × t0.7〜0.5 | 1300 × 1500 × t0.7〜0.4 | 1500 × 1800 × t0.7〜0.4 | |
| 設備內部構造 | １）取/放片室 | 2室 | ||||
| ２）加熱室 | 1室 | |||||
| ３）反應室 | 4室(有加退火室的話為3室) | 5室(有加退火室的話為4室) | ||||
| ４）搬送室 | 1室（7邊形) | 1室（8邊形) | 1室（7邊形) | |||
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５）真空排氣系統 取/放片室 反応室 |
迴轉式幫浦＋機械魯式增壓幫補 | 乾式幫浦＋機械魯式增壓幫補 | ||||
| ６）基板移載系統 | 可選擇 | |||||
| 生産量 |
65秒／片 (ULVAC標準條件SiN 300nm單層) |
75秒／片 (ULVAC標準條件SiN 300nm單層) |
無加熱室: 65秒/片 有加熱室: 90秒/片 (ULVAC標準條件SiN 300nm單層) |
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規格
配件
123
下載
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* 此為公式計算理論值，僅供參考。
巴 (bar)
千帕(kPa)
百帕(hPa)
毫巴(mbar)
帕斯卡(Pa = N/m2)
標准大氣壓(atm)
毫米汞柱(托)(mm Hg = Torr)
磅力/英尺2(lbf/ft2)
磅力/英寸2(lbf/in2 = PSI)
英吋汞柱(in Hg)
公斤力/厘米2(kgf/cm2)
公斤力/米2(kgf/m2)
毫米水柱(mmH2O)