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資訊
特點
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27.12MHz高密度Plasma Process。
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SiH4系統：可用SiO2、SiNx、SiON、a-Si；TEOS系：可用SiO2膜。
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使用NF3+Ar Plasma可以進行Chamber清潔。
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可搭載有機EL適用的低溫成膜加熱器。
- 透過Tray盤，最大可搬送尺寸為 200mm(CME-200E)、300mm*400mm(CME-400)
用途
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Power Device
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LED、LD、高速Device
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有機EL
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太陽電池
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MEMS
規格
配件
下載
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* 此為公式計算理論值，僅供參考。
巴 (bar)
千帕(kPa)
百帕(hPa)
毫巴(mbar)
帕斯卡(Pa = N/m2)
標准大氣壓(atm)
毫米汞柱(托)(mm Hg = Torr)
磅力/英尺2(lbf/ft2)
磅力/英寸2(lbf/in2 = PSI)
英吋汞柱(in Hg)
公斤力/厘米2(kgf/cm2)
公斤力/米2(kgf/m2)
毫米水柱(mmH2O)