低加速、高濃度對應之離子植入裝置SOPHI-30

離子植入装置

為低加速、高濃度對應之離子植入裝置。

特點

  • 枚葉式(Cluster-type)。

  • 可對應薄型Wafer。

  • 非質量分離機
    • *非質量分離機的對比優點
    • 1. 低加速、高濃度對應的高產量離子植入裝置
    • 2. 相對於舊機型約一半的價格
    • 3. 相較於舊機型占地面積約1/3的設計

用途

  • Power Device等薄型基板製程、IGBT製程

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* 此為公式計算理論值,僅供參考。
(bar)
千帕(kPa)
百帕(hPa)
毫巴(mbar)
帕斯卡(Pa = N/m2)
標准大氣壓(atm)
毫米汞柱(托)(mm Hg = Torr)
磅力/英尺2(lbf/ft2)
磅力/英寸2(lbf/in2 = PSI)
英吋汞柱(in Hg)
公斤力/厘米2(kgf/cm2)
公斤力/米2(kgf/m2)
毫米水柱(mmH2O)
* 此為公式計算理論值,僅供參考。
時間 (T)
=
min
公式 | t = V/S*2.303log(P1/P2)
* 容積 (V)
L
* 排氣速度 (S)
L/min
* 初期壓力 (P1)
Pa
* 最終壓力 (P2)
Pa
排氣速度 (S)
=
L/min
公式 | s = V/t*2.303log(P1/P2)
* 容積 (V)
L
* 時間 (T)
L/min
* 初期壓力 (P1)
Pa
* 最終壓力 (P2)
Pa