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資訊
特點
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27.12MHz高密度等離子製程技術。
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SiH4系統：SiO2，SiNx，SiON，a-Si，TEOS系統：可以對應SiO2膜。
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藉由CF4 + O2等離子體進行腔體清潔。
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兼容用於有機EL的低溫鍍膜加熱器。
- 通過Tray盤運輸對應各種尺寸的基板。
- 通過連接真空箱可以在C系列設備間進行間接連續處理。（濺鍍：CS-200，蒸鍍：CV-200）。
用途
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Power Device
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LED，LD和高速Device等化合物相關產品
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有機EL的發展
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太陽能電池開發
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MEMS
規格
配件
下載
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* 此為公式計算理論值，僅供參考。
巴 (bar)
千帕(kPa)
百帕(hPa)
毫巴(mbar)
帕斯卡(Pa = N/m2)
標准大氣壓(atm)
毫米汞柱(托)(mm Hg = Torr)
磅力/英尺2(lbf/ft2)
磅力/英寸2(lbf/in2 = PSI)
英吋汞柱(in Hg)
公斤力/厘米2(kgf/cm2)
公斤力/米2(kgf/m2)
毫米水柱(mmH2O)