研究開發用NLD Dry Etching System_NLD-570

Etching裝置

研究開發用NLD 乾式蝕刻設備NLD-570,搭載了ULVAC獨創的「磁氣中性線Plasma (NLD- Neutral Loop Discharge)」裝置,此NLD技術可以實現低壓、低電子溫度、高密度的Plasma源。

特點

  • NLD適用於與ICP方式相比更低壓、高密度、更低電子溫度Plasma的石英、玻璃、水晶、LN/LT基板的加工。

  • 玻璃加工過程中,也可以優異的形狀和表面光滑度進行蝕刻,例如耐熱玻璃(Pyrex)和硼矽酸鹽玻璃等雜質。

  • 石英及玻璃作為厚膜Resist Mask時,也可實現深度蝕刻(Deep Etching)。

  • 可進行高速Etching(石英>1μm/min、Pyrex>0.8μm/min)。

  • 可追加Cassette室。

用途

  • 光學Device (繞射光柵、變調器、光導波路、光Switch等)、凹凸型顯微鏡、光結晶、流體經路(μ-TAS)等

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* 此為公式計算理論值,僅供參考。
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* 此為公式計算理論值,僅供參考。
時間 (T)
=
min
公式 | t = V/S*2.303log(P1/P2)
* 容積 (V)
L
* 排氣速度 (S)
L/min
* 初期壓力 (P1)
Pa
* 最終壓力 (P2)
Pa
排氣速度 (S)
=
L/min
公式 | s = V/t*2.303log(P1/P2)
* 容積 (V)
L
* 時間 (T)
L/min
* 初期壓力 (P1)
Pa
* 最終壓力 (P2)
Pa