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資訊
特點
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實現了高生產性(比起以往提高了140%)。
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4 inch wafer可以7片同時處理，而6 inch wafer可以3片同時處理。小直徑的2 inch wafer可29片同時處理、3 inch wafer可12片同時處理。
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搭載了在化合物半導體領域擁有600台以上出貨時機的有磁場ICP (ISM※1)高密度Plasma源。(※1：ULVAC專利第3188353號)
- 作為防止RF投入窗污染的對策，搭載了ULVAC獨家研發的「Star電極※2」。(※2：ULVAC專利第3429391號)
- 徹底貫徹Depo對策，實現設備維護上的便利性、長期安定性，以及信賴性的硬體設備。
- 擁有豐富的乾蝕刻製程應用技術（GaN、Sapphire、各種金屬、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半導體材料等）。
- 提供豐富的Option選購功能。
用途
- 對應LED的GaN、Sapphire、各種金屬、ITO等各項乾式蝕刻應用製程
規格
配件
下載
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* 此為公式計算理論值，僅供參考。
巴 (bar)
千帕(kPa)
百帕(hPa)
毫巴(mbar)
帕斯卡(Pa = N/m2)
標准大氣壓(atm)
毫米汞柱(托)(mm Hg = Torr)
磅力/英尺2(lbf/ft2)
磅力/英寸2(lbf/in2 = PSI)
英吋汞柱(in Hg)
公斤力/厘米2(kgf/cm2)
公斤力/米2(kgf/m2)
毫米水柱(mmH2O)