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資訊
特點
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27.12MHz高密度Plasma Process。
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SiH4系統：可用SiO2、SiNx、SiON、a-Si；TEOS系：可用SiO2膜。
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使用CF4 + O2 Plasma可以進行Chamber清潔。
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可對應有機EL適用的低溫成膜加熱器。
- 透過Tray搬送實現多種基板尺寸對應。
- 真空箱可以在C系列之間進行間接連續處理（濺射：CS-200，蒸鍍：CV-200）。
用途
- Power Device
- LED、LD、高速Device等化合物關聯
- 有機EL開發
- 太陽電池開發
- MEMS
規格
配件
下載
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* 此為公式計算理論值，僅供參考。
巴 (bar)
千帕(kPa)
百帕(hPa)
毫巴(mbar)
帕斯卡(Pa = N/m2)
標准大氣壓(atm)
毫米汞柱(托)(mm Hg = Torr)
磅力/英尺2(lbf/ft2)
磅力/英寸2(lbf/in2 = PSI)
英吋汞柱(in Hg)
公斤力/厘米2(kgf/cm2)
公斤力/米2(kgf/m2)
毫米水柱(mmH2O)