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資訊
特點
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除了單Chamber之外，另可搭載有磁場ICP (ISM)或NLD離子源、Ashing Chamber和CCP Chamber等多種蝕刻製程。
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為了實現製程再現性以及安定性，設備搭載了「Star電極」及各式溫度調節功能。
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用有易於維護的構造，實現Downtime的最小化，提供Parts、再生洗淨、設備維護以及人員訓練等綜合的售後服務體制。
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提供專業半導體技術研究所具備的全方位Process Support體制。
用途
- 化合物 (LED、LD、高頻率Device)、Power Device (IGBT配線加工、SiC加工)
- 金屬配線、層間絕緣膜(樹酯類)、Gate電極加工製程
- 強介電質材料或貴金屬蝕刻處理
- 磁性體材料加工
規格
配件
下載
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* 此為公式計算理論值，僅供參考。
巴 (bar)
千帕(kPa)
百帕(hPa)
毫巴(mbar)
帕斯卡(Pa = N/m2)
標准大氣壓(atm)
毫米汞柱(托)(mm Hg = Torr)
磅力/英尺2(lbf/ft2)
磅力/英寸2(lbf/in2 = PSI)
英吋汞柱(in Hg)
公斤力/厘米2(kgf/cm2)
公斤力/米2(kgf/m2)
毫米水柱(mmH2O)