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資訊
特點
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可對應Φ125〜Φ200mm的基板。
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可對應超薄型Wafe(可對應厚度50μm的基板自動傳送。
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最多可對應5製程。
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可搭載ISM方式的濺射蝕刻(Sputter Etching)功能。
- 透過使用ESC可實現高效冷卻之性能。
用途
- Power Device
- WL-CSP (用於電解Metal Plating的Seed Layer層)
- UBM (Barrier Metal)
規格
配件
下載
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* 此為公式計算理論值，僅供參考。
巴 (bar)
千帕(kPa)
百帕(hPa)
毫巴(mbar)
帕斯卡(Pa = N/m2)
標准大氣壓(atm)
毫米汞柱(托)(mm Hg = Torr)
磅力/英尺2(lbf/ft2)
磅力/英寸2(lbf/in2 = PSI)
英吋汞柱(in Hg)
公斤力/厘米2(kgf/cm2)
公斤力/米2(kgf/m2)
毫米水柱(mmH2O)