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RTP-6

RTP-6

4-6英吋的wafer均溫加熱燈管退火設備。 用於各別半導體工藝的硅化物形成和化合物半導體的工藝退火

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特點

  • Cold Wall結構不會造成重金屬污染

用途

  • 可以實現Si晶圓的急速熱處理

規格

    攜手客戶 共創未來

    優貝克“技術發展中心”(Tech Development Center)以獨創性設備和自主核心技術,以嶄新的商業模式為客戶開發新製程以及解決現有製程問題。

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    * 此為公式計算理論值，僅供參考。
    巴 (bar)
    千帕(kPa)
    百帕(hPa)
    毫巴(mbar)
    帕斯卡(Pa = N/m2)
    標准大氣壓(atm)
    毫米汞柱(托)(mm Hg = Torr)
    磅力/英尺2(lbf/ft2)
    磅力/英寸2(lbf/in2 = PSI)
    英吋汞柱(in Hg)
    公斤力/厘米2(kgf/cm2)
    公斤力/米2(kgf/m2)
    毫米水柱(mmH2O)
    * 此為公式計算理論值，僅供參考。
    時間 (T)
    =
    min
    公式 ｜ t = V/S*2.303log(P1/P2)
    * 容積 (V)
    L
    * 排氣速度 (S)
    L/min
    * 初期壓力 (P1)
    Pa
    * 最終壓力 (P2)
    Pa
    排氣速度 (S)
    =
    L/min
    公式 ｜ s = V/t*2.303log(P1/P2)
    * 容積 (V)
    L
    * 時間 (T)
    L/min
    * 初期壓力 (P1)
    Pa
    * 最終壓力 (P2)
    Pa
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