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SiC(GaN)和氧化膜研究用1800℃超高溫退火裝置
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機種名稱
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HT-RTA59HD
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温度範圍
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室温～1800℃ 最高2000℃）
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可對應試料尺寸
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四方形15mm × 厚度1mm
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温度偵測器規格
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JIS B熱電偶（W-Re也可以對應）
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所要電源、冷卻水、氣體
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電電源：單相AC200V、40A、8kW 冷卻水：0.3MPa、5L/min 氣體：乾燥空氣約200L/min
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特點:
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1. 室溫開始到達1800℃，平均約10秒的加熱速度。
2. 高功率紅外線燈管並搭配橢圓反射面能有效聚集快速加熱。
3. 加熱爐和石英製槍體一體化設計。
4. 溫度城市可以使用個人電腦來輸入。
5. 加熱中的溫度資料可以透過個人電腦來表示(以text file方式來做存檔)
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應用:
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•SiC(GaN)power device的氧化膜形成、活性化Annealing的研究・開發
•相關半導體製程的研究・開發 •玻璃基板、陶瓷、複合材料等的熱處理 •陶瓷材料的熱衝撃試驗 •高融點金属材料的焼結以及各種熱處理試驗 •結晶成長試驗爐 |
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