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研究開發用Etching裝置 CE-S
研究開發用Etching裝置 CE-S
研究開發用Etching裝置
CE-S
規格
Model
CE-S (RIE)
CE-S (ICP)
最大基板Size
8 inch (ψ200 mm)
冷卻方式
直置式
ESC
搭載電源
power supply
300W
Antenna 1kW/
Bias 300W
APC搭載
Option
有
到達壓力
1.0 x 10^-3 Pa
腐蝕性氣體對應
Option
有
Pumping system
RP + TMP
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