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半導體及功能材料������_������������������������

半導體材料

其他機能材料

隨著配線Rule之微細化,Ssputter Target將要求更高的品質。

隨著電子產品的小型化、高性能,

ULVAC將著重於以下技術關鍵:

作為配線及電極之金屬奈米粒子(Nano Metal Ink)相當受到矚目。

■抑制於Sputter 過程中之Particle

Nano Metal Ink是在gas中蒸發法所生成,

Process及設備技術或是防著處理等技術結合之材料開發

並於溶劑中均一分散所形成之新型微細配線用導電性Ink

 

使用Nano Metal InkIJPSpin Coater方法等可製成之配線或電極膜。

 

 

 

 

材料

製造方法

接合方式

材料

特點

Al-0.5Cu

溶解法

EB溶接,

低溫燒結成型Ag ink

實現150ºC燒成TypeAg nano metal ink

一體構造,

 "L-Ag Series"

toluene溶媒:L-Ag1T

Metal Bonding

 

tetradecane溶媒:L-Ag1TeH

Ti

溶解法

擴散接合、

微細配線用導電性Ink

ULVAC之導電nano metal inkAuAg

有以下之特點

Metal  Bonding

1) 大氣中220ºC350ºC

2) 皆不含鹼性、滷素、硫化等不純物

Cu

溶解法

擴散接合、

透明導電膜用

1) 由於230ºC燒成,可獲得低阻值且90%以上

高穿透率的ITO

2) 標準濃度:20wt%

Metal  Bonding

ITO Nano Metal Ink

溶媒:能透過燒成在低抵抗之下得到90%

以上高透過率的ITO膜之標準規格

濃度 : 20wt%、溶媒 : Cyclododecene

Ta

溶解法

擴散接合、

Ink Jet Sampling

ULVAC將可提供以小型實驗設備ID-225D

Metal  Bonding

進行Nano Metal Ink之印刷實驗

W

粉末燒結法

Metal  Bonding

 

 

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