|
半導體材料 |
其他機能材料 |
|||
|
隨著配線Rule之微細化，Ssputter Target將要求更高的品質。 |
隨著電子產品的小型化、高性能， |
|||
|
ULVAC將著重於以下技術關鍵： |
作為配線及電極之金屬奈米粒子(Nano Metal Ink）相當受到矚目。 |
|||
|
■抑制於Sputter 過程中之Particle |
Nano Metal Ink是在gas中蒸發法所生成， |
|||
|
■Process及設備技術或是防著處理等技術結合之材料開發 |
並於溶劑中均一分散所形成之新型微細配線用導電性Ink。 |
|||
|
|
使用Nano Metal Ink之IJP、Spin Coater方法等可製成之配線或電極膜。 |
|||
|
|
|
|||
|
|
|
|||
|
材料 |
製造方法 |
接合方式 |
材料 |
特點 |
|
Al-0.5Cu |
溶解法 |
EB溶接， |
低溫燒結成型Ag ink |
•實現150ºC燒成Type之Ag nano metal ink |
|
一體構造， |
"L-Ag Series" |
• toluene溶媒：L-Ag1T |
||
|
Metal Bonding |
|
•tetradecane溶媒：L-Ag1TeH |
||
|
Ti |
溶解法 |
擴散接合、 |
微細配線用導電性Ink |
ULVAC之導電nano metal ink（Au、Ag） |
|
有以下之特點 |
||||
|
Metal Bonding |
1) 大氣中220ºC〜350ºC |
|||
|
2) 皆不含鹼性、滷素、硫化等不純物 |
||||
|
Cu |
溶解法 |
擴散接合、 |
透明導電膜用 |
1) 由於230ºC燒成，可獲得低阻值且90%以上 |
|
高穿透率的ITO膜 |
||||
|
2) 標準濃度：20wt%、 |
||||
|
Metal Bonding |
ITO Nano Metal Ink |
溶媒：能透過燒成在低抵抗之下得到90% |
||
|
以上高透過率的ITO膜之標準規格 |
||||
|
濃度 : 20wt%、溶媒 : Cyclododecene |
||||
|
Ta |
溶解法 |
擴散接合、 |
Ink Jet Sampling |
ULVAC將可提供以小型實驗設備ID-225D， |
|
Metal Bonding |
進行Nano Metal Ink之印刷實驗 |
|||
|
W |
粉末燒結法 |
Metal Bonding |
|
|
