Single-substrate plasma CVD systems |
簡介 |
1.CMD系列為可以SiH4或是TEOS來進行SiOx及SiNx成膜的單一基板CVD系統。 |
特點 |
1.改進反應室設計及氣體供給系統,對於TEOS (SiO2)膜可以提供長時間安定的成膜速率。 |
2.CMD機台的驅動系統,可以對應相較於傳統製程溫度更高溫的製程溫度。 |
3.採用高頻(27.12 MHz)的電源,可以提供高密度的電漿及高成膜速率。 |
4.可以透過參數的變更,輕鬆的管理各別的基板, 例如成膜環境。 |
5.藉由加溫反應氣體路徑可以保持於氣態下排出機台,減少於管路上附產品的附著及保養的時間。 |
用途 |
1.低溫 P-Si, α-Si TFTs |
2.OLED 顯示器 |