半導體・電子材料用赤外線燈管加熱裝置 RTA

型式

VHC －P610

RTA3000

RTA4000

RTA6000

RTA8000

晶圓尺寸（mmΦ）

50

75

100

150

200

溫度範圍（MAX）

1200℃

加熱速度（MAX）

50℃/S

100℃/S

200℃/S

200℃/S

200℃/S

特點:

1.加熱氣氛為真空、氣體、流動氣體、大氣。
2.爐壁是由金面構成，可同時進行高速加熱和高速冷卻。
3.由紅外線燈管組成9個獨立加熱區，分析可以調節加熱功率，具有良好的溫度分布。
4.適用於450mm～4200mm尺寸的半導體基板。
5.配有防止氧化所產生試料卷曲的功能。(選配)

應用:

1.注入離子後的活性化退火。
2.氧化薄膜生成退火。
3.歐姆電極的燒結。
4.PZT和SBT等强誘導體薄膜的結晶化退火。
5.發光元件和半導體雷射基板的退火。